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VNN1NV04TR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223
原厂封装:封装:SOT-223
优势价格,VNN1NV04TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNN1NV04TR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNN1NV04TR-E是意法半导体(STMicroelectronics)推出的OMNIFET II系列智能功率开关(IPS)中的一员,隶属于其先进的VIPower技术平台。该器件本质上是一个高度集成的单片解决方案,其核心架构在一个紧凑的SOT-223封装内,将一颗功率N沟道MOSFET与全面的控制和保护电路融为一体。这种设计摒弃了传统分立方案中驱动IC、MOSFET和保护元件的复杂组合,实现了从逻辑电平输入到功率负载输出的直接、高效控制,显著简化了外围电路设计并提升了系统可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的鲁棒性和易用性上。作为一个低端开关,它采用非反相的开/关接口进行控制,意味着输入高电平时输出导通,逻辑直观,便于与微控制器等数字逻辑单元直接连接。其最大负载电压可达36V,能够覆盖广泛的工业与汽车应用电压范围。尤为关键的是,VNN1NV04TR-E内置了多重先进的故障保护机制,包括固定阈值限流保护过温关断以及过压钳位。这些保护功能是全自动的,无需外部元件干预,当故障条件移除后,器件能够自动尝试恢复,极大地增强了所驱动负载和整个系统的安全性。

在电气参数方面,该器件在典型条件下提供低至250毫欧的最大导通电阻,这确保了在高达1.7A的连续输出电流下,其自身的导通损耗被控制在较低水平,提升了能效并减少了热耗散。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,使其能够适应苛刻的环境。值得注意的是,作为一款真正的“智能”开关,它无需独立的VCC或VDD供电引脚,其内部逻辑和驱动电路直接从负载电源汲取工作能量,这进一步简化了电源轨设计。对于需要可靠货源和技术支持的开发者,可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的详细资料与库存信息。

基于其稳健的性能和集成化保护,VNN1NV04TR-E非常适合于需要可靠开关功能的各类应用场景。它常被用于驱动继电器、电磁阀、小型电机、灯组等感性或阻性负载,广泛应用于工业自动化控制模块、汽车车身电子模块(如车窗升降、座椅调节、雨刷控制)、以及办公设备和家电的功率管理单元。其表面贴装的SOT-223封装和卷带(TR)包装也完全符合现代自动化贴片生产的需求。

  • 型号:VNN1NV04TR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-223
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):1.7A
  • 导通电阻(典型值):250 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-223
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 想获取VNN1NV04TR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNN1NV04TR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道、低端配置的智能功率开关。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路,采用非反相的开/关逻辑接口,可直接由微处理器控制,最大负载电压36V,持续输出电流能力达1.7A。

其核心优势在于高度的集成化和内置的全面保护功能。器件无需外部供电,通过VIPower技术实现了高效的单片集成。它提供了包括固定值限流、过温关断和过压钳位在内的多重故障保护,这些保护均为自动激活与恢复,极大地增强了系统的可靠性与安全性。其紧凑的SOT-223封装适用于空间受限的自动化应用。

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