STB18NF25

STB18NF25是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造流程，在单位芯片面积内实现了更低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）乘积，这一核心指标直接关系到开关转换效率与功率损耗。其设计旨在提供卓越的电气性能与坚固的可靠性，尤其符合汽车电子AEC-Q101标准，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D）承载能力，为高压侧开关应用提供了充足的电压裕量与电流处理空间。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8.5A测试条件下典型值仅为165毫欧，较低的R_DS(on)有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_G）最大值控制在29.5nC（@10V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于降低栅极驱动电路的负担，实现更快的开关速度并减少开关损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。

在接口与参数方面，器件采用标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全范围。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。工作结温范围宽达-55°C至175°C，配合高达110W（T_C=25°C）的功率耗散能力，使其能够适应高温、高功率密度的应用环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

基于其高压、大电流、低损耗及高可靠性的特点，STB18NF25非常适合应用于要求严苛的汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、燃油泵驱动、电机控制单元等。此外，在工业自动化领域，它也是开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器以及各类电机驱动电路中高压开关的理想选择，能够有效提升系统的功率密度与长期运行可靠性。

• 型号:STB18NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18NF25是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术，封装形式为D2PAK。该器件核心参数包括250V的漏源电压（V_DSS）和17A的连续漏极电流（I_D），适用于高压大电流的开关应用。

其关键电气特性表现为较低的导通电阻（165mΩ @ 8.5A, 10V）与栅极电荷（29.5nC @ 10V），这一组合优化了导通损耗与开关损耗，有助于提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在汽车及工业等恶劣环境下的可靠性与耐用性。