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TIP121

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 80V 5A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,TIP121的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TIP121的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款经典的功率开关器件,TIP121采用NPN达林顿晶体管架构。这种结构由两个双极型晶体管以复合形式连接,显著提升了电流增益。其内部集成了驱动级和功率输出级,使得器件能够以极小的基极驱动电流控制较大的负载电流,极大地简化了前级驱动电路的设计。该架构在保证高电流处理能力的同时,也带来了优异的线性放大特性。

得益于其达林顿设计,该器件具备极高的直流电流增益,在3A集电极电流和3V集射极电压的典型工作条件下,其hFE最小值可达1000。这意味着仅需数毫安级的基极电流即可实现对安培级负载的可靠控制。其集电极-发射极击穿电压高达80V,为开关感性负载或工作在较高电源电压的场合提供了充足的安全裕量。同时,其集电极连续电流容量为5A,峰值处理能力更强,能够胜任多数中等功率的开关与线性调整任务。

在接口与电气参数方面,TIP121采用标准的TO-220-3通孔封装,便于安装散热器以充分发挥其2W的功率耗散能力,其结温最高可承受150°C。其饱和压降在5A全电流输出时典型值为4V(基极驱动电流为20mA),这一参数对于计算开关状态下的功耗至关重要。集电极截止电流最大值为500A,体现了良好的关断特性。用户可通过正规的ST代理渠道获取原装正品,确保参数的一致性与长期可靠性。

该晶体管广泛应用于需要高增益、中功率控制的场景。它常见于直流电机驱动、步进电机驱动、继电器或电磁阀驱动电路中,作为理想的开关元件。在音频设备中,可用于输出级的线性放大;在电源电路中,可作为线性稳压器的调整管或开关电源的初级侧驱动。其高输入阻抗和强大的电流驱动能力,使其能够直接由微控制器GPIO口、运算放大器或逻辑芯片驱动,是连接弱电控制与强电负载之间的高效桥梁。

  • 型号:TIP121
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 80V 5A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):4V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 3A,3V
  • 功率 - 最大值:2 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取TIP121的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TIP121是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管,采用TO-220封装。其核心优势在于极高的电流放大能力,在3A/3V条件下最小直流电流增益(hFE)达1000,仅需微小基极电流即可控制高达5A的负载电流,极大简化了驱动电路设计。

器件具备80V的集射极击穿电压和2W的功率处理能力,结合150°C的最高结温,提供了稳健的工作范围和可靠性。其典型的4V饱和压降(5A时)参数明确,便于系统功耗计算。这款有源器件适用于各类中功率开关与线性放大应用,是连接控制信号与功率负载的经典解决方案。

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