STW18NK80Z

STW18NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和外延层技术，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在800V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET的显著特性在于其优异的动态与静态性能。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达19A，而导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为380毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。极低的栅极电荷（Qg，最大值250nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值6100pF @ 25V）是其另一大亮点，这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而减小磁性元件的体积并优化电磁干扰（EMI）表现。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了宽裕且稳健的驱动设计窗口。

器件采用标准的TO-247-3通孔封装，这种封装形式具有优异的热性能，其最大功率耗散能力在壳温条件下可达350W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应严苛的环境要求并简化散热设计。对于需要可靠高压开关解决方案的设计，通过专业的ST芯片代理获取原厂技术支持与供应链服务至关重要。尽管该产品目前已处于停产状态，但其技术指标和设计理念在特定领域仍具参考价值。

凭借800V的高耐压和19A的电流处理能力，STW18NK80Z非常适用于需要处理高电压、中功率的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、反激式或半桥/全桥变换器。它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效照明（如HID灯电子镇流器）等应用场景，为工程师提供了一个在性能与成本间取得平衡的经典功率开关选择。

• 型号:STW18NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:250 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW18NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和19A连续漏极电流（Id），为高压功率应用提供了坚实的耐压和电流处理基础。

其技术优势体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为380毫欧，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率和工作频率。器件支持高达350W的功率耗散，并具备宽泛的工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。