STY100NM60N

STY100NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的特定导通电阻（Rds(on) * Area），从而在给定的芯片尺寸下，提供了更高的电流处理能力和更低的传导损耗。这种架构特别适用于对效率和功率密度有严苛要求的开关电源拓扑。

该MOSFET的关键特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss）和高达98A的连续漏极电流（Id），这使其能够从容应对工业级功率转换中的高压大电流应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和49A测试条件下，典型值仅为29毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件采用了优化的栅极电荷（Qg）设计，最大值控制在330nC @ 10V，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，并简化栅极驱动电路的设计。对于需要可靠元器件供应的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购，以确保产品品质和供货稳定性。

在电气参数方面，STY100NM60N的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了宽裕的安全工作裕量。器件的输入电容（Ciss）典型值在50V漏源电压下为9600pF，这一参数与栅极电荷共同决定了开关动态性能。该MOSFET采用通孔安装的MAX247封装，该封装具有良好的热性能和机械强度，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达625W，结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在恶劣环境下的长期可靠运行。

凭借其高压、大电流、低损耗和高可靠性的综合优势，STY100NM60N非常适合于要求严苛的功率电子应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器以及电机驱动逆变桥臂的理想选择。此外，在电焊机、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业电机控制等系统中，该器件也能有效提升整机效率和功率密度，是实现高效能、高可靠性电力转换解决方案的核心功率开关元件之一。

• 型号:STY100NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 98A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 49A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:330 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY100NM60N是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和高达98A的连续漏极电流（Id），展现了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至29毫欧（@49A），能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大330nC）有助于降低开关损耗并提升工作频率。器件采用坚固的MAX247通孔封装，支持高达625W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级应用中的高可靠性和稳定性。