STW19NM60N

STW19NM60N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直扩散工艺，其核心设计旨在优化单元密度与导通电阻之间的平衡，从而在600V的高压等级下实现优异的开关性能与导通损耗控制。其结构内部集成了快速恢复体二极管，这对于硬开关拓扑中的续流和箝位操作至关重要，有助于提升系统整体的可靠性并简化外围电路设计。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的开关效率上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至285毫欧（在6.5A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±25V，提供了良好的抗干扰能力和驱动设计灵活性。

在电气参数方面，该器件额定连续漏极电流（Id）为13A（基于壳温Tc），最大功率耗散能力达110W，确保了其在严苛工况下的稳定输出。其漏源击穿电压（Vdss）为600V，为工业级AC-DC电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于改善EMI性能。该器件采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业及汽车环境的温度要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过ST一级代理进行采购是可靠的选择。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STW19NM60N非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率转换设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STW19NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW19NM60N是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件基于MDmesh II技术，具备600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）能力，专为高要求的高压、大电流开关应用而设计。

其核心优势在于优异的导通与开关特性：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为285毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至35nC。这一组合显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。宽工作结温范围（-55°C至150°C）和110W的功率耗散能力，确保了其在汽车及工业环境中的高可靠性与鲁棒性。