STW19NM65N

STW19NM65N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其核心架构通过优化的单元密度和栅极设计，有效控制了寄生电容，从而在保证650V高阻断电压的同时，显著提升了开关性能。这种设计理念使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的功能特点突出体现在其卓越的电气性能上。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、7.75A漏极电流条件下典型值仅为270毫欧，这意味着在导通期间由器件本身产生的功耗极低，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在55nC，这一特性显著降低了栅极驱动损耗，使得开关过程更为迅速、高效，尤其适用于高频开关应用。结合高达150°C的结温（TJ）工作能力，器件在高温环境下依然能保持稳定的性能输出，确保了系统的长期可靠性。

在接口与关键参数方面，STW19NM65N提供了标准的三引脚TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其漏源击穿电压（Vdss）高达650V，为应对电网波动和感性负载关断产生的电压尖峰提供了充足的裕量。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值为15.5A，峰值电流处理能力更强。栅源电压（Vgs）支持±25V的最大范围，为驱动电路设计提供了灵活性。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询，以获取正品保障和专业的应用支持。

得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，这款器件非常适合应用于要求严苛的中高功率场合。典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）以及电机驱动和逆变器系统。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和转换效率，同时凭借其稳健的设计确保系统在恶劣电气环境下的长期稳定运行。

• 型号:STW19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW19NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）与15.5A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了可靠的开关解决方案。

其技术优势在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至270毫欧，有效降低了通态功耗。同时，最大55nC的栅极电荷（Qg）确保了高效的开关速度，有助于提升系统整体频率与能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及新能源转换系统中功率开关部分的理想选择。