STW20N90K5

STW20N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247通孔封装，专为高电压、高功率应用而设计，其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能。通过精心的内部结构设计，它在高阻断电压下依然能维持出色的动态特性，为电源系统的效率提升和可靠性保障提供了坚实的硬件基础。

该芯片的功能特点突出体现在其900V的高漏源电压（Vdss）额定值与20A的连续漏极电流能力上，这使其能够从容应对严苛的电压应力环境。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为250毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的热损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC（@10V），结合优化的内部电容特性，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关频率和更平滑的开关波形。

在接口与关键参数方面，STW20N90K5的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。其热设计功率高达250W（基于壳温Tc），结合TO-247封装良好的散热特性，确保了器件在高功率耗散下的稳定运行。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能适应工业级和汽车级应用的宽温环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STW20N90K5非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的场景。它常见于工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和DC-DC变换级、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器、以及新能源领域如太阳能逆变器的高压功率开关部分。在这些应用中，其高耐压、低损耗的特性能够有效提升整机能效，减少散热需求，并增强系统在浪涌和恶劣工况下的鲁棒性。

• 型号:STW20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心优势在于其900V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括在10V驱动电压下仅250毫欧的低导通电阻（Rds(on)），以及40nC的低栅极电荷（Qg），这共同实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。结合250W的高功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其在追求高效率和高可靠性的工业电源、电机驱动及新能源逆变器等场景中成为理想的选择。