STW20N95DK5

STW20N95DK5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DK5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升了整体能效和开关性能。

该MOSFET具备950V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及电力转换系统中常见的高压应力与电压尖峰，确保了系统的可靠性与鲁棒性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达18A，配合仅330毫欧（@9A, 10V）的最大导通电阻，意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，减少发热。其栅极驱动特性同样出色，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保了在标准10V驱动电压下即可实现高效、快速的开关动作。50.7nC（@10V）的最大栅极总电荷（Qg）与1600pF的输入电容（Ciss），共同构成了优异的动态性能指标，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在封装与可靠性方面，STW20N95DK5采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散可达250W（Tc）。宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的中高功率场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器的功率转换级。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并增强系统在高压环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STW20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20N95DK5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DK5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括950V的高漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为330毫欧（@9A），有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值50.7nC @10V）和输入电容（Ciss），确保了快速、高效的开关动作，从而降低整体开关损耗，提升系统能效。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变等中高功率密度设计的理想选择。