STW20NK50Z

STW20NK50Z是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，专为高电压、高功率应用环境设计，在开关电源、电机驱动等系统中扮演着核心开关角色，是实现高效能转换的关键元器件。

该芯片的核心架构基于ST专有的SuperMESH技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，确保了在严苛的工业电压环境下稳定工作。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达17A，最大功率耗散为190W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为270毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗，是提升系统整体效率的决定性因素。

在动态开关性能方面，STW20NK50Z同样表现出色。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声免疫能力。在10V栅源电压下，总栅极电荷（Qg）最大值为119nC，配合2600pF的输入电容（Ciss），意味着该器件可以实现快速、干净的开关切换，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±30V，为驱动电路提供了宽裕的安全裕度。这些参数共同保证了器件在高频开关应用中的可靠性与效率。

得益于其优异的电气参数和坚固的TO-247封装，STW20NK50Z非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的领域。它广泛用于工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器主拓扑中，是实现高效AC-DC或DC-DC转换的理想选择。同时，在变频器、不间断电源（UPS）以及电机驱动控制板中，它也是驱动电机或执行高频开关动作的核心功率器件。对于需要此类高性能功率解决方案的工程师，可以通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术支持与供货保障。

• 型号:STW20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与17A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。

其关键性能指标包括在10V Vgs、8.5A Id条件下仅270毫欧的最大导通电阻（Rds(on)），以及119nC的最大栅极总电荷（Qg）。这些参数共同确保了器件在导通和开关过程中均具有低损耗特性，有助于提升系统整体能效。此外，其190W的最大功率耗散能力和150°C的最高结温（TJ）使其能够适应高功率密度和高温工作环境。