STW20NK70Z

STW20NK70Z是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元结构和外延层设计，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心设计目标是在高达700V的漏源电压下，提供稳定可靠的开关性能，同时将传导损耗控制在较低水平，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其优异的动态与静态参数组合。在25°C的管壳温度下，其连续漏极电流额定值高达20A，配合700V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够从容应对工业级开关电源中常见的电压应力与电流冲击。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下典型值仅为285毫欧，这一低导通阻抗直接转化为更低的通态损耗，有助于减少发热并提升能效。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。

在开关特性方面，在10V栅源电压下，其总栅极电荷(Qg)最大值为185nC，结合最大6000pF的输入电容(Ciss)，决定了器件在开关过程中的速度与驱动功率需求。这些参数为设计高效的栅极驱动电路提供了关键依据。器件的封装采用工业标准的TO-247-3通孔封装，这种封装形式具有出色的机械强度和热性能，其最大功率耗散能力为350W（基于管壳温度），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，STW20NK70Z非常适用于对可靠性和效率有较高要求的离线式功率转换场合。其典型应用包括工业电源、服务器电源、通信电源的功率因数校正(PFC)电路和DC-DC变换器中的主开关或同步整流，以及大功率照明驱动和电机控制中的开关元件。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和经过市场验证的性能，使其在特定存量项目或对长期供货有保障的系统中，依然是一个值得考虑的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STW20NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:185 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20NK70Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心规格包括700V的漏源电压(Vdss)和20A的连续漏极电流(Id)，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻(Rds(on))典型值低至285毫欧（@10A），能有效降低通态损耗。同时，185nC的栅极电荷(Qg)和4.5V的最大栅极阈值电压(Vgs(th))，有助于实现高效的开关控制并简化驱动电路设计。该器件适用于要求高可靠性与高效率的工业级开关电源、功率因数校正(PFC)及电机驱动等应用场景。