STW20NM50

STW20NM50是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、大电流的开关应用而设计，其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电技术，在550V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10A漏极电流条件下典型值仅为250毫欧，这确保了在导通状态下具有极低的功率耗散。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为56nC，结合1480pF的输入电容（Ciss），使得器件能够实现快速、高效的开关切换，这对于提升系统频率和整体效率至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围高达±30V，提供了良好的驱动鲁棒性。作为一款已进入停产状态的产品，用户可通过官方授权的ST代理渠道获取库存或替代方案咨询。

在接口与关键参数方面，STW20NM50在壳温（Tc）条件下可支持高达20A的连续漏极电流，最大功率耗散能力为214W，结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了强大的热性能和可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了在噪声环境下的稳定关断。这些参数共同定义了一个适用于苛刻环境的功率开关解决方案。

得益于其高耐压、低导通阻抗和快速开关特性，该器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及工业照明（如HID灯电子镇流器）等场景。在这些应用中，它能够有效提升系统能效和功率密度，是工程师构建高效、紧凑型功率系统的经典选择之一。

• 型号:STW20NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW20NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心优势在于其550V的高漏源电压（Vdss）额定值与20A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至250毫欧（@10A），显著降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为56nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。结合214W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最高结温，确保了器件在高功率密度设计中的可靠运行。