STW20NM60FD

STW20NM60FD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通损耗和开关损耗，实现了优异的性能与可靠性的平衡。

该器件具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的保障。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和10A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为290毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在37nC，结合1300pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关电源设计。

在接口与参数方面，STW20NM60FD支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声免疫能力。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为214W，结合-65°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应严苛的热环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

凭借这些特性，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和照明镇流器等。其稳健的设计和TO-247封装带来的出色散热性能，使其成为工程师在构建高可靠性、高性能功率系统时的优选功率开关解决方案。

• 型号:STW20NM60FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW20NM60FD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW20NM60FD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至290毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值37nC）和输入电容有利于实现快速开关，提升系统频率与效率。器件支持宽范围工作温度（-65°C ~ 150°C TJ），并具备214W（Tc）的强散热能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。