STW21N90K5

STW21N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和沟槽工艺，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心在于实现了900V的高漏源击穿电压（V_DSS）与低至299毫欧（典型值）的导通电阻之间的卓越平衡，这使其在高压开关应用中能够有效降低传导损耗，提升整体能效。

得益于SuperMESH5技术的加持，该MOSFET展现出优异的动态特性。其栅极电荷（Q_g）典型值仅为43nC，结合适中的输入电容（C_iss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁的驱动电路来实现快速开关，从而减少开关损耗。器件在25°C壳温（T_C）下可支持高达18.5A的连续漏极电流，最大功率耗散为250W，确保了在严苛工况下的可靠功率处理能力。其栅源电压（V_GS）范围宽达±30V，提供了较强的抗干扰能力，而阈值电压（V_GS(th)）设计确保了在标准10V驱动电压下即可获得优异的导通性能。

在电气参数方面，STW21N90K5定义了明确的工作边界。其导通电阻在9A电流、10V驱动电压条件下测得，确保了参数的可比性与设计的可预测性。器件采用经典的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以应对高功率场景。其结温（T_J）工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于工业级宽温环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原厂正品和技术支持。

这款MOSFET主要面向需要高效率和高可靠性的中高功率开关电源应用。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器的功率转换级以及电机驱动和照明镇流器。其高耐压特性使其特别适用于直接从交流电网供电或存在高电压应力的离线式电源设计中，是工程师构建高效、紧凑型高压功率解决方案的关键组件之一。

• 型号:STW21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW21N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值，结合低至299毫欧的导通电阻（R_DS(on)），为高压应用提供了优异的导通性能与能效。

器件在25°C壳温下可承载18.5A连续电流，并具备低栅极电荷（43nC @ 10V）特性，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其采用TO-247-3通孔封装，支持高达250W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业电源、逆变器及电机驱动等严苛环境下的稳定性和可靠性。