STW220NF75

ST意法半导体推出的STW220NF75是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于其成熟的STripFET II产品系列。该系列以其优化的单元结构和先进的工艺技术而闻名，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。这款器件采用经典的TO-247-3通孔封装，为高功率密度应用提供了坚固的物理基础和高效的散热路径。

在电气特性方面，75V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够稳定工作在多种中压直流母线环境中，例如48V或更低电压的系统。其最突出的性能指标在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，典型值仅为4.4毫欧，这直接转化为导通状态下极低的功率损耗和发热。配合高达120A（壳温条件下）的连续漏极电流承载能力，该器件能够高效处理大电流负载。其栅极电荷（Qg）典型值为430nC，结合12500pF的输入电容（Ciss），意味着在合理的栅极驱动电路设计下，可以实现较快的开关速度，从而降低开关损耗。

该MOSFET的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±20V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的抗干扰能力。器件在壳温条件下的最大功率耗散能力高达500W，结合其宽广的结温工作范围（-55°C至175°C），确保了其在严苛热环境下的可靠运行。对于需要长期稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关产品信息与供应链服务。

基于上述特性，STW220NF75非常适用于对效率和功率密度有较高要求的开关电源和电机驱动领域。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的同步整流和初级侧开关、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及电动工具、伺服驱动器中的电机控制H桥电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要价值。

• 型号:STW220NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:430 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW220NF75是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心电气参数针对高效功率转换进行了优化，具备75V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流处理能力。

该器件的关键优势在于其极低的导通阻抗，在10V栅极驱动下典型Rds(on)仅为4.4毫欧，能显著降低导通损耗。同时，430nC的栅极电荷与宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使其在要求高效率与高可靠性的中压、大电流开关应用中表现出色。