STW26NM60ND

STW26NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺改进，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心在于降低了单位面积下的特定导通电阻，同时通过优化的内部结构有效控制了寄生电容，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压高达600V，使其能够可靠地工作在离线式电源、功率因数校正等高压场合。在25°C壳温下，其连续漏极电流额定值为21A，结合最大仅175毫欧的导通电阻（测试条件为10.5A，10V），意味着在导通期间能够显著降低传导损耗，提升能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极阈值电压典型值较低，有助于简化驱动电路设计。此外，其栅极电荷最大值控制在54.6nC，较低的Qg值直接转化为更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用是一个关键优势。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力为190W。其工作结温高达150°C，提供了宽裕的热设计余量。关键的动态参数，如输入电容，在100V漏源电压下最大值为1817pF，这些参数共同决定了器件在具体电路中的开关行为。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方ST代理渠道咨询替代产品或库存信息。

基于其高压、大电流、低损耗的特性，STW26NM60ND非常适用于对效率和可靠性要求严苛的功率转换领域。典型应用包括工业级开关模式电源、不间断电源、电机驱动和逆变器系统。在这些场景中，它能够有效处理高功率负载，同时凭借FDmesh II技术带来的性能优势，帮助系统设计者达成更高的能效标准与更紧凑的尺寸设计。

• 型号:STW26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW26NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压与21A连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在导通特性上，其最大导通电阻低至175毫欧，能有效降低通态损耗。在开关特性上，其最大栅极电荷仅为54.6nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其特别适用于追求高效率的开关电源、电机控制及功率逆变等应用场景。