STB95N4F3

STB95N4F3是ST意法半导体基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极结构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与电荷平衡，从而在开关速度与传导损耗之间取得了卓越的折衷。其核心架构旨在为中等电压、大电流应用提供高效率的功率开关解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为40V，在壳温（Tc）25°C条件下连续漏极电流（Id）高达80A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、40A电流条件下典型值仅为5.8毫欧，这一极低的导通阻抗直接转化为更低的通态损耗和更高的系统能效。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为54nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量较低，有助于简化栅极驱动设计并提升高频开关性能。

在接口与参数方面，STB95N4F3采用标准的表面贴装D2PAK封装，具有良好的功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散为110W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了较宽的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。用户可通过授权的ST代理商获取详细的技术资料与供货支持。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关的特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括工业领域的电机驱动、伺服控制器和电源模块中的同步整流或主开关，汽车电子中的辅助驱动和负载开关，以及消费类电子中高性能DC-DC转换器、逆变器和电池保护电路。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型功率系统的可靠选择。

• 型号:STB95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB95N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用D2PAK封装，设计用于表面贴装应用，核心优势在于其卓越的功率处理能力与能效表现。

其关键参数包括40V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流（Id）。尤为突出的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.8毫欧（@40A），配合仅54nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg），共同确保了极低的传导损耗和快速的开关瞬态，从而优化了整体系统效率。器件工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于要求严苛的功率开关环境。