STF5N62K3

STF5N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在保持高耐压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心设计目标是在高达620V的漏源电压下，提供高效、可靠的开关性能，这对于处理高压开关应用中的能量转换至关重要。

该器件集成了多项旨在提升系统效率与鲁棒性的特性。其1.6欧姆的低导通电阻（在10V Vgs和2.1A Id条件下）直接减少了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效。同时，26nC的低栅极电荷（Qg）与680pF的输入电容（Ciss）相结合，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关电源设计尤为重要。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了良好的设计裕度和抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了在噪声环境下的稳定关断。

在接口与参数方面，STF5N62K3采用标准的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，便于在PCB上实现机械固定和高效散热。其连续漏极电流在壳温（Tc）25°C时额定值为4.2A，最大功率耗散为25W（Tc），结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C），使其能够适应严苛的工作环境。这些参数共同定义了一个在高压、中电流应用中兼具性能与可靠性的解决方案。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息与供应链服务。

得益于其高压能力和优异的开关特性，该MOSFET非常适用于要求高效率和高可靠性的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及电机驱动等应用场景。在这些系统中，它能够有效处理高压直流母线，实现能量的高效转换与控制，是工业、消费电子和照明领域功率转换设计的理想选择。

• 型号:STF5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括620V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Tc），为系统提供了坚实的耐压与载流基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态性能上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值26nC）和输入电容（Ciss，最大值680pF）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率和整体效率。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功耗25W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在广泛环境下的可靠运行。