STW25N95K3

作为ST意法半导体SuperMESH3产品系列中的一员，STW25N95K3是一款采用N沟道技术的高压功率MOSFET，其核心架构基于先进的SuperMESH3工艺。该工艺通过优化单元结构和制造流程，在维持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而实现了优异的导通损耗与开关性能平衡。器件采用坚固的TO-247通孔封装，确保了在高功率耗散条件下的可靠散热能力，其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。

该器件提供了高达950V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压尖峰和应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为22A，结合最大仅360毫欧的导通电阻（在11A，10V条件下测得），意味着在导通状态下能够实现极低的功率损耗，提升系统整体能效。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极电荷（Qg）典型值控制在105nC（@10V），有助于简化驱动电路设计并优化开关速度。

在电气参数方面，高达400W的功率耗散能力（壳温条件下）彰显了其处理大功率的能力。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于减少开关过程中的损耗与噪声。尽管该型号目前已处于停产状态，但在许多现有的高可靠性电源转换与电机控制设计中，它依然是关键功率开关元件的经典选择之一。对于有相关设计维护或特定需求的项目，可以通过专业的ST芯片代理渠道咨询库存或替代方案信息。

基于其高压、大电流和低导通电阻的特性，STW25N95K3非常适合于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主功率变换级、大功率UPS（不间断电源）系统、以及交流电机驱动器和逆变器平台。在这些领域中，它能够有效承担主功率开关的角色，帮助系统实现高功率密度和高效率的运行目标。

• 型号:STW25N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 22A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3680 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW25N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247封装，核心特性包括950V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），具备强大的耐压与载流能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、11A电流条件下最大值仅为360毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（105nC @10V）有助于实现快速的开关切换。这些特性使其成为要求严苛的工业电源、电机驱动及大功率转换应用的理想功率开关解决方案。