STW25NM50N

STW25NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id）能力，为其在高功率应用中提供了坚实的电气基础。其导通电阻在典型工作条件下（如11A，10V Vgs）最大仅为140毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度和更高的频率运行潜力，这对于开关电源（SMPS）等应用的设计优化非常有利。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）可达150°C。驱动电压（Vgs）范围为±25V，标准驱动电平为10V，确保了驱动的便利性和可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。用户在选择时，可通过正规的ST芯片代理获取详细的技术支持和供货信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期管理策略。

凭借其高耐压、大电流和良好的开关性能，STW25NM50N非常适用于对效率和可靠性要求严苛的工业级功率电子设备。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换器的主开关、电机驱动与控制的逆变器模块，以及不同断电源（UPS）和焊接设备等领域的功率开关部分。在这些应用中，它能够有效处理高电压大电流的切换任务，帮助系统实现更高的功率密度和能源效率。

• 型号:STW25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW25NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括500V的漏源电压（Vdss）和22A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为140毫欧（@11A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值被控制在84nC，这有利于实现更快的开关速度和降低驱动损耗，从而提升系统整体效率，尤其适用于高频开关电源设计。