STW25NM60N

STW25NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与高开关速度的出色平衡，其核心在于优化的单元密度和栅极结构，有效降低了导通损耗和开关损耗，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性包括高达600V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在高压应用中的可靠阻断能力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达21A，配合仅160毫欧（典型值，条件为10.5A，10V）的导通电阻，使得在导通期间产生的功率损耗被控制在极低水平。其栅极电荷（Qg）典型值为84nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关过程中的能量损失，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

在接口与参数方面，STW25NM60N采用标准的10V驱动电压以获得最佳导通性能，其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，便于散热设计，其最大结温（Tj）为150°C，在充分散热条件下可支持高达160W的功率耗散。用户可通过正规的ST代理商获取该产品的详细技术资料与库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需评估替代方案。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性有严格要求的离线式开关电源（SMPS）拓扑，如功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的DC-DC转换器。它也常见于工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效照明镇流器等应用场景，是构建高性能功率系统的关键元件之一。

• 型号:STW25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW25NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW25NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和21A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在低导通损耗与良好的开关特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧，同时栅极电荷（Qg）仅为84nC，这有助于在降低导通压降的同时，实现快速的开关切换，从而提升整体电源系统的转换效率与功率密度。