STW28N60M2

作为意法半导体MDmesh II Plus产品系列中的一员，STW28N60M2是一款采用先进垂直结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的超结（Super-Junction）技术，通过精心设计的单元结构和外延层，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种设计理念使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和更快的开关速度，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该器件在600V的漏源电压（Vdss）下，于25°C壳温条件下可提供高达24A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、12A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为150毫欧，这直接转化为更低的导通压降和发热量，提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在37nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低栅极驱动损耗并实现更快的开关瞬态，这对于高频开关电源设计至关重要。

在接口与参数方面，STW28N60M2采用标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为170W（Tc）。器件的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的安全驱动范围，而阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应苛刻的环境要求。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品支持与供货信息。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适用于对效率和可靠性有高要求的工业级与消费类应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择，也常见于电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等领域的功率开关模块中，为工程师提供了一种高效、可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STW28N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW28N60M2是ST意法半导体推出的MDmesh II Plus系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压和24A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括极低的导通电阻（150毫欧 @ 12A, 10V）和优化的栅极电荷（37nC @ 10V），这共同确保了在高频开关状态下兼具低传导损耗与低开关损耗，从而显著提升系统整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和170W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。