STW30N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW30N80K5是一款基于先进MDmesh K5技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺改进，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这种架构的核心优势在于实现了更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换系统提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），为应对工业电网电压波动和感性负载关断时产生的电压尖峰提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达24A，配合仅180mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在大电流工作状态下仍能维持较低的导通压降和温升。其栅极驱动特性经过精心优化，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了驱动的鲁棒性。此外，43nC（@10V）的低栅极总电荷与1530pF的输入电容，共同决定了其快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统开关频率和整体效率。

在电气参数方面，STW30N80K5展现了全面的高性能指标。其最大阈值电压Vgs(th)为5V，具备良好的噪声免疫能力。器件采用标准的TO-247-3通孔封装，具有优异的导热路径，最大功率耗散能力可达250W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以获得正品保障和完整的售前售后服务。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中PFC（功率因数校正）级和高压DC-DC变换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信电源和工业电源。同时，在电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等需要高效能功率开关的领域，STW30N80K5也能发挥关键作用，帮助设计者实现更高的功率密度和更优的系统性能。

• 型号:STW30N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1530 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW30N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-3封装，核心特性包括800V的漏源电压（Vdss）和24A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值180mΩ @ 12A, 10V）与栅极电荷（Qg最大值43nC @ 10V）的优异组合。这一特性源自先进的MDmesh K5技术，能够显著降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，其250W的功率耗散能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。