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BUT70W

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 125V 32A TO-247-3
原厂封装:封装:TO-247-3
优势价格,BUT70W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUT70W的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUT70W是ST意法半导体推出的一款高性能NPN双极性功率晶体管(BJT),采用经典的TO-247-3通孔封装。其核心架构基于成熟的硅基工艺,旨在提供高电压、大电流下的可靠开关与线性放大能力。器件内部通过优化的芯片布局和结终端设计,实现了优异的电气隔离和热分布特性,确保在高达200W的功率耗散下,结温(Tj)仍能稳定工作在150°C的额定范围内,为系统设计提供了宽裕的安全余量。

该晶体管的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力上。125V的集射极击穿电压(Vceo)使其能够从容应对工业级电源和电机驱动中常见的电压应力场景。32A的最大集电极电流(Ic)则赋予了它驱动大功率负载的潜力。尤为关键的是,在7A基极电流(Ib)和70A集电极电流的严苛条件下,其集射极饱和压降(Vce(sat))最大值仅为900mV,这意味着在导通状态下的功耗极低,能显著提升系统的整体能效,减少散热需求。对于寻求可靠功率解决方案的设计师而言,通过专业的ST芯片代理获取此型号,是确保供应链稳定与产品一致性的重要途径。

在接口与参数层面,BUT70W的TO-247封装提供了优异的机械强度和散热性能,便于安装散热器以应对高功率应用。其电气参数定义清晰,虽然部分动态参数如截止电流和直流电流增益(hFE)的最小值未在标准数据表中明确标注,但其核心的电压、电流、功率和饱和压降等关键指标均指向了高鲁棒性、低导通损耗的设计目标。这些参数共同构成了一个适用于苛刻环境的功率开关核心。

基于上述特性,BUT70W非常适合应用于对可靠性和功率密度有较高要求的领域。典型的应用场景包括开关电源(SMPS)的功率变换级、电机驱动控制器(如变频器、伺服驱动器)中的逆变桥臂、音频功率放大器的输出级,以及不间断电源(UPS)和焊接设备中的功率调节模块。尽管其零件状态标注为“不适用于新设计”,这通常意味着ST意法半导体可能已推出性能更优的迭代产品或建议转向更新的技术平台,但对于现有设备的维护、备件供应或某些对成本与成熟度极为敏感的设计项目,BUT70W凭借其久经考验的稳定性和明确的参数表现,依然是一个值得信赖的选择。

  • 型号:BUT70W
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 125V 32A TO-247-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):32 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):125 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):900mV @ 7A,70A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:200 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 想获取BUT70W的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUT70W是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性功率晶体管,采用TO-247封装。其核心卖点在于出色的功率处理能力,集电极-发射极击穿电压高达125V,最大集电极电流可达32A,最大功耗为200W,能够满足高电压、大电流的严苛应用需求。

该器件在导通特性上表现优异,在7A基极电流和70A集电极电流条件下,其饱和压降最大仅为900mV,有效降低了导通状态下的功率损耗,提升了系统效率。结合150°C的最高结温,BUT70W在提供强大功率驱动能力的同时,也保证了在高负荷工作环境下的可靠性与稳定性。

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