STP7N95K3

STP7N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220-3通孔封装，其核心设计旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。通过优化的单元结构和先进的工艺技术，该芯片在维持高可靠性的同时，显著降低了传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备950V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力与开关尖峰，提供了充裕的设计裕量。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在导通期间产生的热量更少，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统动态响应更佳。

在电气参数上，STP7N95K3在壳温（Tc）条件下支持高达7.2A的连续漏极电流，最大功耗为150W。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，提供了良好的噪声免疫能力。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和坚固的封装特性，这款MOSFET非常适用于要求高可靠性和高效率的应用领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明镇流器、工业电机驱动与逆变器、UPS（不间断电源）系统以及电焊机等功率处理单元。在这些场景中，它能够有效提升功率密度，减少散热需求，从而帮助设计者开发出更紧凑、更高效的电力电子设备。

• 型号:STP7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220-3封装，核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）与经过优化的低导通电阻特性，这为高压开关应用提供了优异的电气性能和可靠性。

其电气参数设计均衡，在壳温条件下连续漏极电流（Id）可达7.2A，最大功率耗散为150W。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）使其能够适应苛刻的工业环境。这款MOSFET是构建高效、紧凑型高压功率转换系统的理想选择。