PD85015STR-E

PD85015STR-E是ST意法半导体推出的一款基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺的N沟道射频功率场效应晶体管。该器件采用先进的射频功率晶体管架构，专为在特定频段内提供高功率增益和稳定的线性输出而设计。其核心在于优化的LDMOS结构，这种结构在功率密度、热稳定性和线性度方面具有显著优势，能够在较高的工作电压下保持优异的射频性能，同时确保器件在严苛工作条件下的长期可靠性。

该晶体管在870MHz的中心频率下，能够提供高达15W的射频输出功率，同时维持约16dB的功率增益，这使其在信号放大链路中能有效提升信号强度，减少级联放大器的数量。其设计工作电压为13.6V，额定电压高达40V，展现了良好的电压耐受性。测试电流为150mA，而额定电流可达5A，表明器件具备处理高峰值电流的能力，适合脉冲或动态负载应用。对于需要采购此型号的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

在接口与物理参数方面，PD85015STR-E采用了PowerSO-10RF封装，该封装形式集成了裸露的底部金属焊盘。这一设计不仅优化了射频性能，减少了寄生参数，更重要的是为器件提供了卓越的散热路径，能够将晶体管工作时产生的热量高效地传导至PCB板或外部散热器，从而保障其在全功率输出下的热稳定性和寿命。直引线设计也便于PCB布局和焊接工艺的实现。

综合其技术规格，这款器件主要面向需要中等功率、高增益射频放大功能的专业通信基础设施领域。其典型应用场景包括870MHz频段附近的专用移动无线电系统、基站功率放大器驱动级、以及工业、科学和医疗设备中的射频源部分。尽管其零件状态标注为停产，但对于现有系统的维护、备件供应或特定历史设计方案的延续，它仍然是一个经过验证的关键射频解决方案。

• 型号:PD85015STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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PD85015STR-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件核心设计针对870MHz频段优化，能够在13.6V测试电压下，提供高达15W的射频输出功率和约16dB的功率增益，具备出色的信号放大能力。

其规格参数显示，该晶体管额定电压为40V，额定电流达5A，确保了其在高压和高电流工作条件下的稳健性。封装底部的裸露焊盘设计显著增强了散热性能，适用于对热管理有较高要求的持续或脉冲功率应用场景。