STW75NF20

STW75NF20是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其内部架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(on)）之间的关系，通过精密的沟槽工艺，在保证200V高耐压的同时，有效降低了导通损耗，为功率转换应用提供了坚实的物理基础。

该器件在电气性能上表现出色，其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达75A，展现了强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、37A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为34毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在84nC @ 10V，结合±20V的宽栅源电压范围，有助于设计出驱动简单、开关速度快的栅极驱动电路，从而降低开关损耗。

在接口与参数方面，200V的漏源击穿电压（Vdss）使其适用于常见的AC-DC整流、电机驱动及DC-DC转换拓扑。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了良好的噪声抑制能力。器件最大功耗为190W（Tc），结合其宽泛的工作结温范围（-50°C ~ 150°C），确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要本地技术支持和稳定供货渠道的开发者，可以咨询ST中国代理以获取详细的设计支持与供应链服务。

凭借高耐压、大电流、低导通电阻和优化的开关特性，STW75NF20非常适合于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。它常见于服务器及通信电源的功率因数校正（PFC）电路、大功率开关电源（SMPS）的初级侧开关、工业电机驱动和逆变器系统，以及电焊机、不间断电源（UPS）等专业设备中，是实现高效能、高可靠性功率管理的核心组件之一。

• 型号:STW75NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW75NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和高达75A的连续漏极电流（Id），为系统提供了坚实的功率处理基础。

其突出优势在于极低的功率损耗。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为34毫欧 @ 37A，显著降低了传导过程中的能量损失。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值84nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性共同确保了器件在高频、大电流工作条件下的高效率与高可靠性，适用于严苛的工业环境。