STGP19NC60WD

STGP19NC60WD是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件采用TO-220-3通孔封装，集成了快速恢复二极管，构成了一个紧凑且高效的功率开关解决方案。其核心设计旨在优化导通损耗与开关损耗之间的平衡，通过先进的沟槽栅场截止技术，实现了低饱和压降与快速开关特性的结合，这对于提升系统整体效率至关重要。

该IGBT在典型工作条件下展现出优异的电气性能。其集电极-发射极击穿电压高达600V，最大连续集电极电流为40A，最大功耗为125W，确保了在中等功率应用中的可靠性与鲁棒性。其导通特性尤为突出，在15V栅极驱动电压、12A集电极电流条件下，饱和压降Vce(on)典型值仅为2.5V，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。开关动态性能方面，其开关能量（Eon 81J， Eoff 125J）与快速的开关时间（开通延迟25ns，关断延迟90ns）共同保证了在高频开关应用中的高效率，同时栅极电荷仅为53nC，有助于简化驱动电路设计并降低驱动损耗。

器件的接口设计遵循工业标准，采用标准输入类型，兼容常见的栅极驱动电平，便于系统集成。其集成的快速恢复二极管反向恢复时间（trr）为31ns，有效抑制了续流过程中的电压尖峰和开关噪声。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关的技术支持和库存信息。

基于其600V/40A的额定规格和优化的开关性能，STGP19NC60WD非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备中的功率级设计。其TO-220封装形式兼顾了散热能力与安装便利性，是许多离线式或直流母线电压在300V至400V之间的开关电源和变频器设计中功率开关元件的经典选择。

• 型号:STGP19NC60WD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 40A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，12A
• 功率 - 最大值:125 W
• 开关能量:81J（导通），125J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:53 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/90ns
• 测试条件:390V，12A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):31 ns
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 想获取STGP19NC60WD的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STGP19NC60WD是意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V、40A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了快速恢复二极管，构成了一个完整的功率开关单元。

其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡。在15V栅极驱动下，12A电流时饱和压降仅为2.5V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量较低（开通81J，关断125J），开关速度快，支持较高频率的开关操作，有助于提升系统整体效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围确保了其在严苛环境下的稳定运行。