STW35N65DM2

作为ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一员，STW35N65DM2是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的垂直DM2结构，该结构通过精心设计的电荷平衡技术，在相同的芯片面积下，显著降低了特定导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优值系数（FOM）。这种设计在维持高击穿电压的同时，有效降低了开关损耗和导通损耗，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该器件在650V的漏源电压（Vdss）下，能够提供高达32A的连续漏极电流（Tc=25°C），其导通电阻在典型工作条件下表现出色。在Vgs为10V、Id为16A时，其Rds(on)最大值仅为110毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。更低的栅极电荷（Qg最大值56.3nC @ 10V）是其另一关键特性，这意味着驱动电路所需的能量更少，开关速度可以更快，从而进一步优化高频应用中的整体效率。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±25V，提供了更宽的驱动安全裕度。

在接口与参数方面，STW35N65DM2采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散可达250W（Tc）。其输入电容（Ciss）在Vds为100V时最大值为2540pF，结合优化的Qg，共同决定了其快速开关特性。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的可靠运行。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术文档、样品及批量采购支持。

基于其高耐压、低损耗和高电流处理能力，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和焊接设备中的功率级。它能够帮助设计工程师在提升系统能效和功率密度的同时，保持设计的紧凑性与可靠性。

• 型号:STW35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2540 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW35N65DM2是STMicroelectronics推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于650V的高漏源击穿电压与32A的高连续电流能力相结合，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

该器件的关键技术参数突出其高效率特性：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110mΩ，有效降低了导通损耗；同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至56.3nC，有助于实现快速开关并显著降低开关损耗。这些特性使其特别适用于追求高功率密度和高效率的电源转换系统。