STW35N65M5

STW35N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性与雪崩耐量，为高效率、高可靠性的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性包括高达650V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业及消费类开关电源中常见的电压应力与浪涌冲击。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为98毫欧（测量条件：13.5A，Tc=25°C），这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在83nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，优化了高频工作下的性能表现。

在电气参数与物理接口上，STW35N65M5在壳温（Tc）条件下可支持高达27A的连续漏极电流，最大功率耗散为160W，其结温（Tj）最高可工作于150°C，展现了良好的热性能与工作鲁棒性。器件采用经典的TO-247-3通孔封装，这种封装形式具有优异的热传导能力和较高的机械强度，便于通过散热器进行高效的热管理，满足中高功率应用的需求。用户可以通过授权的ST代理商获取该产品的详细技术资料与供货支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和稳健的封装，这款器件非常适用于要求严苛的功率电子领域。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、UPS（不间断电源）系统的功率转换部分、电机驱动与变频器中的逆变桥臂，以及电焊机、太阳能逆变器等对效率与可靠性有高要求的设备。它为设计工程师在构建高效、紧凑的功率解决方案时提供了一个经过验证的高性能选择。

• 型号:STW35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW35N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和27A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为98毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗。同时，83nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，优化高频工作性能。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度的开关电源、电机驱动及工业逆变器等应用的理想功率开关选择。