STW36N60M6

作为ST意法半导体MDmesh M6系列中的一员，STW36N60M6是一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和专有的MDmesh M6技术，该技术通过创新的垂直结构，在单位面积内实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的出色平衡。这种设计不仅提升了开关效率，还显著降低了传导损耗，使得器件在高频开关应用中表现出色。

该器件具备多项关键性能指标。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在高压环境下的可靠隔离与工作稳定性。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达30A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下（15A，10V Vgs）最大值仅为99毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其最大栅极电荷（Qg）被控制在44.3nC（@10V），结合±25V的宽栅源电压范围，意味着驱动损耗更低，开关速度更快，有助于简化驱动电路设计并提升系统频率。

在接口与封装方面，STW36N60M6采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为208W（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，具备良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）在100V Vds下最大为1960pF，这些参数共同定义了其动态开关行为。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

凭借其高压、大电流、高效率的特性，该器件非常适用于要求严苛的功率转换应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和照明镇流器等。在这些领域中，其出色的性能有助于实现更高的功率密度、更低的系统温升和更长的使用寿命。

• 型号:STW36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源电压和30A的连续漏极电流处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值极低，这直接降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提升整体效率，使其成为高频开关电源设计的理想选择。