STW38N65M5-4

STW38N65M5-4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）效应，通过精心布局的电荷平衡单元，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值（FOM），从而在高压开关应用中达成了效率与开关速度的优异平衡。

其核心优势体现在多项关键电气参数上。该器件具备650V的漏源击穿电压（V_{DSS），为工业级AC-DC电源及电机驱动应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温（TC）下，其连续漏极电流（ID）额定值高达30A，支持处理较大的功率流。尤为突出的是，在10V栅源驱动电压（VGS）下，其导通电阻典型值极低，最大值仅为95毫欧（@15A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极总电荷（QG）最大值控制在71nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关转换，减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。}

该MOSFET采用标准的TO-247-4L四引脚通孔封装。额外的开尔文源极引脚是其重要特性，它将功率电流回路与驱动信号回路分离开来，有效抑制了源极寄生电感在高速开关时引起的栅源电压振荡，从而提升了开关行为的可预测性和可靠性，并允许使用更高的开关频率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为190W（T_C），确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及开尔文源极引脚的降噪优势，STW38N65M5-4非常适用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS）功率因数校正（PFC）级和LLC谐振转换器、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及高性能电焊机等功率转换系统。

• 型号:STW38N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW38N65M5-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M5产品系列。该器件采用TO-247-4L封装，额定漏源电压为650V，在25°C壳温下可承载高达30A的连续电流，适用于高功率应用场景。

其技术核心在于实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为95毫欧（@15A），有效降低了功率耗散。同时，较低的栅极电荷（最大值71nC @10V）确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升系统效率和工作频率。额外的开尔文源极引脚设计，进一步优化了高速开关性能，增强了系统可靠性。