STW48N60M6-4

作为ST意法半导体MDmesh M6产品系列中的一员，STW48N60M6-4是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和创新的垂直结构，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该器件采用TO-247-4封装，相比标准三引脚TO-247，其独立的开尔文源极引脚为栅极驱动提供了纯净的参考地，有效减少了由源极寄生电感引起的开关振荡和损耗，从而提升了高频开关应用的稳定性和效率。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的静态与动态参数上。它具备600V的漏源击穿电压和39A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻在10V栅极驱动电压、19.5A测试条件下典型值仅为69毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体能效。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为57nC，结合优化的内部栅极电阻，确保了快速的开启与关断过程，有利于降低开关损耗并允许更高频率的开关操作。

在接口与参数方面，该器件设计稳健。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了驱动的灵活性及抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，提供了良好的噪声抑制能力。功率耗散能力高达250W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。用户可通过官方ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及设计支持服务。

凭借其高性能指标，STW48N60M6-4非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的开关电源拓扑，如服务器/电信电源的PFC（功率因数校正）级、工业电机驱动的逆变器桥臂、太阳能逆变器的DC-AC转换环节以及不间断电源系统。其快速开关特性也使其成为LLC谐振转换器等软开关拓扑中主开关或同步整流管的理想选择，有助于实现高功率密度和高可靠性的电源设计方案。

• 型号:STW48N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW48N60M6-4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M6系列。该器件采用TO-247-4封装，额定值为600V漏源电压和39A连续漏极电流，专为高效、高可靠性的高压开关应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的出色结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻典型值低至69毫欧，能显著降低通态损耗。同时，最大57nC的栅极电荷确保了快速的开关瞬态，有效降低了开关损耗，从而提升系统整体效率并支持更高的工作频率。