STW4N150

意法半导体推出的STW4N150是一款采用先进的PowerMESH技术平台构建的N沟道高压功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化的单元密度和低栅极电荷设计，在实现极低导通电阻的同时，显著降低了开关损耗。其核心架构确保了在高压、大电流工作条件下的高可靠性和稳定性，为苛刻的功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该芯片具备多项突出的功能特性。其1500V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级高压环境，提供充裕的电压裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）可达4A，结合最大仅7欧姆的导通电阻（Rds(on)）（测试条件：2A，10V），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，增强了抗干扰能力。此外，低至50nC的栅极电荷（Qg）和1300pF的输入电容（Ciss）共同作用，大幅减少了开关过程中的延迟和损耗，使得开关频率得以提升，有助于电源系统的小型化设计。

在接口与关键参数方面，STW4N150采用经典的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其最大结温（Tj）高达150°C，在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为160W，展现了出色的热性能。这些参数共同定义了器件的工作边界，为系统热设计提供了明确依据。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST芯片代理渠道进行采购与咨询。

基于其高压、高效、高可靠性的特点，STW4N150非常适用于对电压应力和效率有严苛要求的应用场景。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC转换器、UPS（不间断电源）系统、电机驱动与变频器中的高压侧开关，以及太阳能逆变器和电动汽车充电桩等新能源基础设施中的功率转换模块。在这些领域中，它能够有效提升系统功率密度和长期运行稳定性。

• 型号:STW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW4N150的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW4N150是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压环境，其核心卖点在于高达1500V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，为工业级功率应用提供了坚实的电压与电流支撑。

其技术优势体现在优异的开关性能与导通特性上。仅7欧姆的低导通电阻（Rds(on)）配合50nC的低栅极电荷（Qg），在保证低导通损耗的同时，实现了快速开关，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用TO-247-3通孔封装，最大结温150°C，功率耗散达160W，确保了在严苛工况下的可靠散热与长期稳定运行。