STF31N65M5

意法半导体推出的STF31N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）乘积，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其内部架构通过精心设计的单元布局和工艺优化，有效平衡了高耐压与低损耗之间的矛盾，使得器件在650V的高压环境下仍能保持出色的导电性能。

在功能表现上，STF31N65M5在10V驱动电压下，导通电阻典型值仅为148毫欧（在11A条件下），这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。该器件具备高达22A的连续漏极电流（Tc=25°C）和±25V的宽栅源电压范围，提供了稳健的驱动兼容性和过载能力。其最高结温（Tj）可达150°C，并采用TO-220FP封装，确保了良好的散热性能和机械强度，适合通孔安装。

从接口与参数来看，STF31N65M5的静态与动态参数均指向高效能设计。其650V的漏源击穿电压（Vdss）为离线电源应用提供了充足的安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），有助于防止误触发并增强抗噪性。这些参数共同塑造了一款在性能与可靠性间取得优异平衡的功率开关器件。用户可以通过ST授权代理获取该产品的完整技术资料、样品及采购支持。

基于其高性能特性，STF31N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）初级侧PFC（功率因数校正）和PWM（脉宽调制）电路的理想选择，可广泛应用于服务器电源、工业电源、通信基础设施电源以及高性能LED照明驱动器中。其出色的开关特性也有助于提升逆变器、电机驱动等能量转换系统的整体能效。

• 型号:STF31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF31N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其650V的高耐压与低损耗的出色结合，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为148mΩ，同时栅极电荷（Qg）低至45nC，这使其成为高效率开关应用的优选。

其22A的连续漏极电流能力和150°C的最高工作结温，确保了在严苛环境下的高可靠性与功率处理能力。这些特性使其特别适用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及各类硬开关拓扑，旨在帮助设计工程师实现更高的功率密度和系统能效。