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RBO40-40T

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 20VWM 40VC TO220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,RBO40-40T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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RBO40-40T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

RBO40-40T是意法半导体(STMicroelectronics)RBO系列中的一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的TO-220-3通孔封装,为工程师提供了一种坚固可靠的过压保护解决方案。该器件基于齐纳二极管技术构建,其核心在于利用半导体PN结的雪崩击穿特性,当两端电压超过其反向断态电压时,能够迅速从高阻态转为低阻态,从而将危险的高能量瞬态脉冲(如ESD、EFT或雷击感应浪涌)泄放到地,并将被保护线路的电压箝位在一个安全的水平。

该TVS二极管设计为双向保护,这意味着它可以有效抑制来自正负两个方向的瞬态过压威胁,为交流或具有极性反转风险的直流线路提供了全面的防护。其关键特性包括20V的典型反向断态电压、24V的最小击穿电压以及在特定峰值脉冲电流下最大40V的箝位电压。更值得注意的是,它能够承受高达1500W(1.5kW)的峰值脉冲功率,在标准的10/1000s测试波形下,其峰值脉冲电流能力分别达到20A和37.5A,展现了强大的浪涌吸收能力。其工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。

在接口与参数方面,RBO40-40T采用三引脚的TO-220AB封装,这是一种在功率电子领域广泛使用、散热性能优良的封装形式,便于安装在散热器上以应对大功率耗散场景。其单向和双向通道各一的配置,为电路设计提供了灵活性。虽然该器件不专门针对特定电源线路(如USB、以太网)进行优化,标注为“通用”应用,且不具备特定的电源线路保护功能,但其核心的箝位电压和功率处理能力使其成为工业控制、电源模块、通信设备端口以及汽车电子系统中保护敏感IC或功率器件的理想选择。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息,尽管该型号目前已处于停产状态,但在许多现有设计和备件替换中仍有应用需求。

RBO40-40T典型的应用场景涵盖了对可靠性要求极高的领域。例如,在工业自动化设备的24V直流电源输入端,它可以有效抑制因电机启停或继电器动作产生的感应浪涌;在车载电子系统中,保护ECU免受负载突降等瞬态电压的冲击;亦或是作为通信基站设备中初级保护的一部分。其强大的1500W峰值脉冲功率和40V的箝位电压,使其能够为后级更精密的保护电路或受保护的元器件提供一个坚固的第一道防线,显著提升整个系统的电磁兼容性(EMC)和长期运行可靠性。

  • 型号:RBO40-40T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 20VWM 40VC TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):20V
  • 电压 - 击穿(最小值):24V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):40V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):20A,37.5A
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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RBO40-40T是ST意法半导体推出的一款采用TO-220-3封装的大功率瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件提供双向过压保护,其核心优势在于高达1500W的峰值脉冲功率处理能力,能够在10/1000s波形下承受37.5A的峰值脉冲电流,并将过压箝位在最大40V的水平,为后级电路提供强有力的安全屏障。

其典型反向断态电压为20V,最小击穿电压为24V,工作温度范围覆盖-40°C至150°C,确保了在宽温环境和严苛电气条件下的可靠运行。作为一款通用的保护器件,它适用于需要应对高能量浪涌冲击的工业电源、汽车电子及通信端口等应用场景。

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