STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向汽车级应用的N沟道功率MOSFET。该器件隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive产品系列，并采用了先进的MDmesh DM2技术平台，专为在严苛环境下要求高可靠性和卓越性能的功率转换应用而设计。

其核心架构基于优化的垂直DMOS结构，MDmesh DM2技术通过创新的单元设计和工艺优化，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的出色平衡。这种设计显著降低了传导损耗和开关损耗，从而提升了整体能效。器件具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了充足的电压裕量以应对工业及汽车应用中的电压应力与开关尖峰，确保了系统的稳健性。

在电气特性方面，该MOSFET在结温（T_C）条件下可支持28A的连续漏极电流，最大功耗达300W，展现了强大的功率处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、19A漏极电流条件下典型值仅为87毫欧，有效减少了通态损耗。同时，较低的栅极电荷（典型70nC @ 10V）和输入电容有助于实现快速开关，减少驱动电路的负担并提升开关频率潜力，这对于高频开关电源设计至关重要。其栅源电压（V_GS）范围宽达±25V，增强了驱动灵活性及抗干扰能力。

该器件采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的散热性能和机械强度，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，完全满足汽车电子对宽温度范围的严格要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询，以获取正品保障和全面的应用支持。

综合其高耐压、低损耗、快速开关以及汽车级的质量与可靠性，STW50N65DM2AG非常适用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电机驱动、工业开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和光伏逆变器等中高功率应用场景，是提升系统效率与功率密度的关键元件。

• 型号:STW50N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW50N65DM2AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用MDmesh DM2技术，在650V的漏源电压（V_dss）下，实现了低导通电阻（典型87mΩ @ 10V）与低栅极电荷（典型70nC）的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

其额定连续漏极电流（I_d）在结温条件下为28A，最大功率耗散达300W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在汽车及工业等高要求环境下的高可靠性与稳健性能。TO-247封装为其提供了优异的散热能力。