STW54NM65ND

STW54NM65ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，旨在为高功率密度和高效率应用提供卓越的开关性能与可靠性。其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在确保高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而实现了优异的导通损耗与开关损耗平衡。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为应对工业及汽车环境中常见的电压尖峰和开关瞬态提供了充足的裕量。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达49A，结合低至65毫欧（@24.5A，10V）的导通电阻，确保了在高压大电流工作状态下仍能保持较低的导通损耗。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现最优的Rds(on)，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在188nC（@10V），这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升系统在高频开关应用中的整体效率。

在接口与关键参数方面，STW54NM65ND支持高达±25V的栅源电压（Vgs），增强了驱动电路的鲁棒性。其输入电容（Ciss）典型值在特定条件下为6200pF，与较低的Qg值共同决定了其快速的开关响应特性。器件最大结温（TJ）为150°C，在TO-247封装下可实现高达350W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛热环境下的稳定运行。对于需要本地化技术支持和稳定供货渠道的设计者，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料与设计协助。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性，这款MOSFET非常适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景。典型应用包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电焊机以及电动汽车的车载充电机（OBC）和DC-DC转换器等。在这些应用中，它能够有效处理功率流，提升系统能效，并凭借其坚固的设计应对复杂的电磁环境和热应力挑战。

• 型号:STW54NM65ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 24.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:188 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW54NM65ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与49A（Tc）的高连续漏极电流能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通损耗与开关损耗的平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至65毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为188nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，使得器件在保证低导通损耗的同时，也能实现快速的开关切换，从而显著提升系统整体效率，尤其适用于高频开关电源和电机驱动等对能效要求苛刻的场合。