STI45N10F7

STI45N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，专为高效功率转换和开关应用而设计。其核心架构融合了优化的单元设计和先进的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的理想平衡，从而在100V的漏源电压（Vdss）等级下，提供高达45A的连续漏极电流承载能力。

该器件的一个显著特点是其极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压、22.5A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为18毫欧。这一特性直接得益于STripFET VII技术，它通过降低单位面积的导通电阻，显著提升了功率密度和整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在25nC（@10V），较低的栅极电荷有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更迅速。

在电气参数方面，STI45N10F7的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力和稳定的导通控制。其最大栅源电压（Vgs）为±20V，为驱动电路提供了充足的安全裕度。器件的输入电容（Ciss）典型值在50V偏压下为1640pF，结合其低栅极电荷特性，共同决定了其优越的动态性能。该MOSFET的结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为60W（Tc），展现了强大的热管理和环境适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关的技术支持和产品信息。

凭借100V的耐压和45A的电流处理能力，STI45N10F7非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥电路、不间断电源（UPS）以及各类DC-DC转换器模块。其I2PAK封装提供了良好的机械强度和散热性能，便于通过散热片进行有效的热管理，确保系统在严苛工况下的长期稳定运行。

• 型号:STI45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK（TO-262）通孔封装。该器件隶属于采用先进STripFET VII技术的产品系列，核心优势在于其优异的电气性能平衡。

其关键参数包括100V的漏源电压（Vdss）和高达45A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）低至18毫欧（@22.5A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大25nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于高频开关应用。

该器件设计工作结温范围宽广（-55°C ~ 175°C），最大功率耗散为60W（Tc），确保了在 demanding 应用环境下的可靠性与稳定性。