STW56N60M2-4

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW56N60M2-4是一款采用先进MDmesh M2技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过创新的单元结构和外延层工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的出色平衡。其核心在于显著降低了开关损耗和传导损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。四引脚TO-247封装（TO-247-4L）引入了独立的开尔文源极连接，有效分离了功率回路与驱动回路，从而大幅减少了由封装寄生电感引起的栅极振荡和开关损耗，确保了更干净、更快速的开关行为。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和52A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻在10V栅极驱动电压、26A测试条件下典型值低至55毫欧，这直接转化为更低的通态损耗和更高的功率密度。同时，栅极总电荷（Q_G）最大值仅为91nC，结合较低的输入电容（C_iss），使得器件能够被快速驱动，开关速度得以提升，特别适合高频工作环境。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±25V，增强了驱动电路的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的开发者，可以通过正规的ST芯片代理获取该产品及相关技术资源。

在电气参数方面，STW56N60M2-4的阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声免疫能力。其最大结温（T_J）高达150°C，配合TO-247-4L封装优异的散热性能，允许器件在严苛的热环境下稳定工作，最大功率耗散能力为350W（基于壳温）。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。

凭借其高性能与高可靠性，此器件主要面向对效率和功率密度有严苛要求的工业与消费类电源领域。典型应用包括服务器和电信设备的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动和逆变器，以及电焊机、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源设备。其设计旨在帮助工程师实现更紧凑、更高效的下一代电源系统。

• 型号:STW56N60M2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW56N60M2-4是ST意法半导体基于MDmesh M2技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4L封装。该器件核心优势在于其600V/52A的高压大电流处理能力，结合低至55毫欧的导通电阻（R_DS(on)）与仅91nC的栅极电荷（Q_G），实现了开关损耗与传导损耗的卓越平衡，显著提升电源效率。

其四引脚设计提供了独立的开尔文源极，有效优化了开关性能，减少振荡。高达150°C的结温与350W的功率耗散能力确保了其在工业级应用中的高温可靠性。该MOSFET是构建高效、高功率密度开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及电机驱动等系统的理想选择。