STB50NF25

STB50NF25是ST意法半导体基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计目标是在高电压、大电流的应用中提供高效、可靠的功率开关能力，同时兼顾开关速度与热性能。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压(Vdss)和45A的连续漏极电流(Id)能力，为其在高功率场景下的稳定运行奠定了基础。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、22A测试电流下典型值仅为69毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。栅极电荷(Qg)最大值控制在68.2nC，配合适中的输入电容(Ciss)，意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的损耗。其栅源电压(Vgs)耐受范围为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。对于需要采购原装正品器件的用户，可以通过官方ST授权代理渠道进行咨询。

在封装与可靠性方面，STB50NF25采用工业标准的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有良好的散热能力和机械强度。其最大功率耗散能力高达160W（基于壳温Tc），结合-55°C至150°C的宽结温(TJ)工作范围，确保了器件在恶劣环境下的鲁棒性。这些参数共同指向一个核心应用诉求：在有限的封装尺寸内，实现高功率密度与高可靠性的统一。

综合其电气参数与物理特性，这款MOSFET非常适用于要求严苛的工业与汽车电子领域。典型应用包括开关模式电源(SMPS)的初级侧开关、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、不间断电源(UPS)的功率转换模块，以及各类需要高效DC-DC变换的场合。其强大的电流处理能力和高耐压特性，使其成为构建中高功率、高效率功率转换解决方案的关键组件之一。

• 型号:STB50NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB50NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为250V漏源电压(Vdss)与45A连续漏极电流(Id)，具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于优异的导通特性与开关性能的平衡：在10V Vgs、22A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为69毫欧，有助于最小化传导损耗；同时，最大68.2nC的栅极电荷(Qg)确保了较快的开关速度。结合160W的最大功耗和-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为高可靠性、高功率密度的开关电源和电机驱动应用提供了稳健的解决方案。