STW56N60M2

作为ST意法半导体MDmesh M2系列中的一员，STW56N60M2是一款采用先进平面工艺和优化单元结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于成熟的MDmesh M2技术平台，该平台通过在硅片内部集成一个高效的垂直超结结构，显著优化了单位面积下的导通电阻与栅极电荷乘积（RDS(on) * Qg），这一关键指标直接关系到开关效率与损耗。这种设计在保持高阻断电压能力的同时，有效降低了传导与开关损耗，为高频率、高效率的功率转换应用奠定了物理基础。

该器件具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（V_DSS）高达600V，能够从容应对工业级AC-DC电源及电机驱动中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值达52A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压、26A漏极电流条件下典型值仅为55毫欧，这一低导通电阻特性是实现高效率电能转换的核心，能显著降低器件在导通状态下的功率损耗。此外，其栅极总电荷（Q_g）典型值在10V条件下为91nC，较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升系统整体频率和功率密度至关重要。

在接口与参数方面，STW56N60M2采用经典的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（T_J）为150°C，在壳温（T_C）条件下最大功率耗散可达350W，为系统热设计提供了充裕的余量。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±25V，提供了安全的驱动电压范围。这些稳健的电气与热参数共同确保了器件在严苛环境下的长期可靠运行。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术资料、样品支持与供应链服务。

基于其高电压、大电流、低损耗的特性组合，该MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在服务器电源、通信电源等中大功率AC-DC转换器中。同时，它也是电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等工业设备中功率转换级的理想选择，能够有效提升系统能效，减少散热需求，从而优化整体系统尺寸与成本。

• 型号:STW56N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW56N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压和52A连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至55毫欧（@26A），这直接转化为更低的导通损耗。同时，91nC（@10V）的较低栅极总电荷（Q_g）有助于实现快速的开关切换，从而降低开关损耗。这种低R_DS(on)与低Q_g的组合，使其特别适用于追求高效率和功率密度的开关电源及电机驱动电路。