STW65N80K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW65N80K5是一款高性能的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用优化的垂直架构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗的卓越平衡。其核心在于MDmesh K5技术，该技术通过创新的单元结构和多层外延工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（RDS(on)），同时优化了内部电容和栅极电荷，从而在开关应用中实现了更低的传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

在功能特性上，STW65N80K5展现出强大的电气性能。其漏源击穿电压（V_DSS）高达800V，为离线开关电源、功率因数校正（PFC）等高压应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）额定值可达46A，支持高功率传输。尤为关键的是，在10V栅源驱动电压（V_GS）和23A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至80毫欧，这直接转化为更低的通态压降和发热量。此外，其栅极总电荷（Q_g）在10V条件下最大值为92nC，结合优化的电容特性，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

该器件采用坚固的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散能力在壳温条件下为446W。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。凭借800V的耐压、低至80毫欧的导通电阻以及优化的动态参数，STW65N80K5非常适合应用于要求高效率和高可靠性的中高功率场合。

在应用场景方面，其出色的性能使其成为工业电源、服务器电源、通信电源、不间断电源（UPS）以及电机驱动和照明镇流器等系统中功率开关部分的理想选择。特别是在硬开关和软开关拓扑中，如反激、正激、半桥及全桥电路，该器件能有效提升系统功率密度和整体效率，满足现代电力电子设备对节能与小型化的持续需求。

• 型号:STW65N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3230 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW65N80K5是意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）与极低的导通电阻（R_DS(on)）的结合，在10V V_GS、23A I_D条件下典型值仅为80毫欧，这显著降低了传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括最大92nC的栅极电荷（Q_g @ 10V）和高达46A（T_C=25°C）的连续漏极电流额定值。这些特性共同确保了器件在高压、大电流工作条件下，既能实现快速的开关切换，又能保持较低的功率耗散，最大耗散功率可达446W（T_C）。

因此，STW65N80K5非常适用于要求高效率和可靠性的中高功率开关电源、功率因数校正（PFC）及电机驱动等应用领域。