STW68N60M6-4

STW68N60M6-4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-4封装，其核心架构通过优化单元密度和垂直结构，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通电阻和开关损耗。这种设计使得器件在高压、大电流的开关应用中能够实现更高的效率和功率密度，其600V的漏源击穿电压（Vdss）和63A的连续漏极电流（Id）能力，为苛刻的功率转换任务提供了坚实的硬件基础。

得益于MDmesh M6技术的应用，该MOSFET展现出卓越的性能特点。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、31.5A电流下典型值仅为41毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性，使其开关速度更快，开关损耗更低，有助于提升系统整体效率。器件具备±25V的宽栅源电压（Vgs）范围和良好的阈值电压稳定性，增强了驱动设计的灵活性和可靠性。其高达390W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在恶劣环境下的稳定运行。

在接口与关键参数方面，该器件采用四引脚（TO-247-4）通孔封装，额外的开尔文源极引脚有助于实现更精确的栅极驱动，减少寄生电感对开关性能的影响。其栅极电荷（Qg）典型值为106nC @ 10V，输入电容（Ciss）为4360pF @ 100V，这些参数为设计高效的栅极驱动电路提供了关键依据。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取此产品及相关设计资源。

STW68N60M6-4主要面向高效率、高可靠性的中高功率应用场景。它是开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等设备的理想选择。其优异的性能平衡使其特别适用于追求高功率密度和高效率的现代电源设计，能够帮助工程师在工业自动化、能源基础设施和消费类电子等领域构建更先进、更可靠的电力电子系统。

• 型号:STW68N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW68N60M6-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4封装，隶属于先进的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达63A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术优势体现在极低的导通损耗与优化的开关性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为41毫欧（@31.5A），同时栅极电荷（Qg）典型值控制在106nC，这有助于实现更高的系统效率和更快的开关频率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并采用带开尔文源极引脚的TO-247-4封装，以提升开关性能的稳定性和可控性。