STW68N65DM6-4AG

意法半导体推出的STW68N65DM6-4AG是一款基于先进的MDmesh M6技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247-4封装，其核心架构通过优化单元密度和垂直结构，在650V的高阻断电压下实现了极低的导通电阻与开关损耗的优异平衡。这种设计使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出色，尤其适合对效率和功率密度有严苛要求的应用。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动电压、36A漏极电流条件下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至39毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值为118nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速、干净的开关转换，从而减少开关损耗并简化栅极驱动设计。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±25V，提供了良好的抗干扰能力。作为符合AEC-Q101标准的汽车级产品，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的高可靠性，相关技术支持和供货可通过官方授权的ST代理商获取。

在接口与关键参数方面，该器件采用四引脚（TO-247-4）封装，额外的开尔文源极引脚有助于将功率回路与驱动回路分离，从而最小化寄生电感对开关性能的影响，进一步提升高频下的开关效率。其连续漏极电流（I_D）在壳温条件下高达72A，最大功耗为480W，展现了强大的电流处理与散热能力。阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.75V，提供了与主流控制器良好的兼容性。输入电容（C_iss）等动态参数也经过精心优化，以适配高频开关应用。

凭借高电压、大电流、低损耗和高可靠性的特点，STW68N65DM6-4AG非常适用于要求严苛的功率转换场景。其主要应用领域包括电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效服务器电源和光伏逆变器的功率级。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，并帮助实现更紧凑、更可靠的电源设计方案。

• 型号:STW68N65DM6-4AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• 想获取STW68N65DM6-4AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW68N65DM6-4AG是ST意法半导体推出的一款汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4封装。该器件基于MDmesh M6技术，具备650V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达72A（T_C）的连续漏极电流处理能力，为高功率应用提供了坚实的基础。

其核心优势在于优异的效率表现，在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至39mΩ @ 36A，同时栅极电荷（Q_g）典型值仅为118nC，实现了低导通损耗与快速开关特性的理想结合。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）和480W（T_C）的最大功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。