STW7N95K3

STW7N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-247-3通孔封装，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其950V的漏源击穿电压（Vdss）为应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和开关瞬态提供了充裕的安全裕量，确保了系统在严苛环境下的长期可靠性。

得益于SuperMESH3架构的优化，该MOSFET在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。在典型工作条件下（Vgs=10V， Id=3.6A），其导通电阻最大值仅为1.35欧姆，这意味着在导通期间由器件本身产生的功耗被有效抑制，从而提升了整体能效。较低的栅极电荷（Qg，最大值34nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值1031pF @ 100V）特性，使其能够被快速驱动，减少开关过程中的交叠损耗，非常适合高频开关应用，有助于缩小磁性元件尺寸并提高功率密度。

在电气参数方面，STW7N95K3在壳温（Tc）条件下可支持高达7.2A的连续漏极电流，最大功率耗散为150W。其栅源驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且能承受最高±30V的瞬态电压，增强了驱动电路的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为5V，提供了良好的噪声抑制能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应从寒冷到高温的广泛工作环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

这款MOSFET主要面向需要高效、高可靠性的中高功率离线式开关电源（SMPS）设计，例如服务器电源、通信电源、工业电源适配器以及照明应用的功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振转换器中的主开关或同步整流（需配合相应控制）。其高耐压特性也使其适用于电机驱动、逆变器等存在高电压摆幅的应用场合，是工程师在构建高效、紧凑型功率转换解决方案时的可靠选择。

• 型号:STW7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW7N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心特性在于其950V的高漏源电压（Vdss）与优化的动态参数，旨在为高压开关应用提供高效率与高可靠性。

其关键电气参数包括：在壳温条件下7.2A的连续漏极电流（Id）和150W的最大功率耗散能力。通过先进的制程技术，它在10V驱动电压下实现了低至1.35欧姆（@3.6A）的导通电阻，同时保持了较低的栅极电荷（34nC @10V）和输入电容。这些特性共同作用，有效降低了导通与开关损耗，提升了电源系统的整体能效。

该器件工作结温范围宽广（-55°C ~ 150°C），栅源电压可耐受±30V，为设计提供了充分的灵活性和安全裕度。它主要适用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及各类中高功率的AC-DC转换拓扑。