STW80NF55-08

STW80NF55-08是ST意法半导体基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和布局，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于坚固的TO-247-3通孔封装内，提供了优异的散热能力和高功率处理密度。

在电气特性方面，该MOSFET的额定漏源电压（Vdss）为55V，在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）高达80A，使其能够承载大电流负载。其最突出的性能指标之一是在Vgs=10V、Id=40A的条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。栅极驱动设计灵活，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V条件下最大为150nC，结合3850pF的输入电容（Ciss），表明其在开关速度与驱动电路设计复杂性之间取得了良好折衷，有助于简化栅极驱动设计并减少开关损耗。

该器件支持±20V的栅源电压，为驱动电路提供了安全裕量。其最大功率耗散能力在壳温条件下可达300W，结合TO-247封装优良的热性能，能够有效管理高功率应用中的热量。工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要此类高性能分立器件的设计，可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，STW80NF55-08非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制电路中的H桥或半桥拓扑、不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块，以及各类DC-DC转换器和逆变器。其设计能够有效提升系统能效，减少散热需求，是构建紧凑、高效功率电子解决方案的关键组件。

• 型号:STW80NF55-08
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW80NF55-08的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW80NF55-08是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心优势在于其卓越的电流承载能力与极低的导通损耗。其额定漏源电压为55V，在壳温25°C下可支持高达80A的连续漏极电流，而导通电阻在标准10V驱动下可低至8毫欧（@40A），这显著降低了功率应用中的传导损耗。

此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为150nC，有助于实现高效的开关性能并简化驱动电路设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达300W的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为要求高效率和高功率密度的电源转换与电机驱动应用的理想选择。