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STW82100BTR

ST图标
射频混频器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC MIXER 1.62-2.4GHZ DWN CONV
原厂封装:封装:44-VFQFN
优势价格,STW82100BTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STW82100BTR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STW82100BTR是ST意法半导体推出的一款高性能单片微波集成电路(MMIC)下变频混频器。该器件采用先进的硅基工艺制造,内部集成了射频(RF)输入匹配网络、本振(LO)驱动级、核心吉尔伯特单元混频器以及中频(IF)输出放大器,构成了一个完整的信号链路。其核心架构旨在实现从射频到中频的高效、线性频率转换,同时最大限度地减少外部元件数量,简化系统设计并提升整体可靠性。

该混频器专为1.62GHz至2.4GHz的射频输入频率范围优化,覆盖了包括GPS L1、GLONASS、蓝牙、Wi-Fi以及部分工业、科学和医疗(ISM)频段在内的广泛应用。其8.5dB的典型转换增益有效降低了后级中频放大链路的噪声贡献要求,而10.5dB的噪声系数则在同类集成解决方案中表现出色,有助于提升接收机系统的整体灵敏度。作为一款有源混频器,它集成了LO缓冲放大器,显著降低了对本振源驱动功率的要求,典型值仅为0dBm,这简化了本振电路设计并降低了系统功耗。

在接口与电气参数方面,STW82100BTR采用单电源供电,工作电压范围宽达3.3V至5V,典型供电电流为108mA,为不同供电系统的集成提供了灵活性。其射频和本振端口内部均匹配至50欧姆,极大简化了板级射频布局与阻抗匹配设计。中频输出端口具有宽带特性,支持从直流到数百兆赫兹的中频信号输出,适应多种中频方案。器件采用紧凑的44引脚VQFN封装,符合表面贴装(SMT)工艺要求,适合高密度PCB设计。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

得益于其优异的性能与高集成度,该芯片非常适合应用于对尺寸、功耗和性能有严格要求的无线通信设备。典型应用场景包括全球导航卫星系统(GNSS)接收机、无线局域网(WLAN)接入点与客户端设备、短距离无线通信模块、便携式测试仪器以及各类物联网(IoT)终端。在这些系统中,它能够可靠地将接收到的射频信号下变频至易于处理的中频,为后续的数字信号处理奠定坚实基础。

  • 制造商产品型号:STW82100BTR
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC MIXER 1.62-2.4GHZ DWN CONV
  • 系列:射频混频器
  • 包装:卷带(TR)
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:通用
  • 频率:1.62GHz ~ 2.4GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:8.5dB
  • 噪声系数:10.5dB
  • 辅助属性:降频变频器
  • 电流-供电:108mA
  • 电压-供电:3.3V ~ 5V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:44-VFQFN
  • 想获取STW82100BTR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW82100BTR是ST意法半导体生产的一款有源下变频混频器,属于其射频混频器产品系列。该器件采用卷带(TR)包装和44-VFQFN表面贴装封装,工作频率覆盖1.62GHz至2.4GHz的通用射频范围,专为将高频信号转换为低频信号的应用而设计。

其核心性能参数包括8.5dB的转换增益和10.5dB的噪声系数,在提供有效信号放大的同时保持了良好的接收灵敏度。器件支持3.3V至5V的单电源供电,典型工作电流为108mA,集成了必要的匹配和缓冲电路,显著简化了外部设计。这些特性使其成为紧凑型、高性能无线接收前端设计的理想选择。

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