STW88N65M5-4

STW88N65M5-4是ST意法半导体基于其先进的MDmesh M5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单颗芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过精密的单元布局和创新的电荷平衡技术，有效降低了单位面积的导通损耗，同时维持了快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备一系列卓越的功能特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车环境中常见的电压应力和开关尖峰，确保了系统在恶劣条件下的长期可靠性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至29毫欧（在42A条件下），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。此外，器件采用了TO-247-4L四引脚封装，增加的Kelvin源极引脚实现了功率回路与驱动回路的分离，能够显著抑制由源极寄生电感引起的栅极电压振荡，从而提升开关的稳定性和可控性，降低电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，STW88N65M5-4在壳温（Tc）条件下可支持高达84A的连续漏极电流，最大功耗为450W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极电荷（Qg）典型值为204nC（@10V），结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速且损耗可控的开关瞬态。较高的栅源电压耐受范围（±25V）为驱动电路设计提供了裕量。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及设计支持服务。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适用于要求严苛的功率应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）和LLC谐振拓扑中主开关管的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信基础设施和工业电源系统。同时，在电机驱动、光伏逆变器以及电动汽车的车载充电机（OBC）等对效率和功率密度有极高要求的领域，STW88N65M5-4也能发挥关键作用，助力设计者构建更紧凑、更高效的下一代电力电子解决方案。

• 型号:STW88N65M5-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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STW88N65M5-4是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M5产品系列。该器件采用TO-247-4L封装，具备650V的高漏源电压（Vdss）额定值，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为29毫欧（@42A, 10V），这使其在高压应用中能够显著降低传导损耗。

该MOSFET在壳温（Tc）条件下支持高达84A的连续漏极电流和450W的最大功耗，展现了出色的电流处理与散热能力。其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现高效的开关性能。这些核心参数使其成为追求高效率和可靠性的工业级开关电源、电机驱动及新能源转换系统的优选功率开关器件。