STW9N150

STW9N150是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心设计通过精细的单元结构和创新的工艺处理，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时确保了在高达1500V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的雪崩耐量和稳定的开关特性。这种架构为高功率密度和高效率的应用奠定了坚实的物理基础。

该MOSFET的功能特性围绕高压高效能设计展开。其1500V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业级三相交流输入整流后产生的高压直流母线环境，而8A的连续漏极电流（Tc=25°C）能力则提供了可观的功率处理容量。一个关键的性能指标是其导通电阻，在10V栅极驱动电压和4A漏极电流条件下，典型值仅为2.5欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更优的温升表现。此外，其栅极电荷（Qg）典型值控制在89.3nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升系统在高频工作下的整体效率。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持和样品服务。

在电气接口与参数方面，STW9N150采用标准的TO-247-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的电压，为标准驱动电路设计提供了充足的裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为5V（@250A），具备良好的噪声抑制能力。器件的热性能同样出色，最大功率耗散可达320W（基于壳温Tc），结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些参数共同定义了一个坚固、高效且易于驱动的功率开关解决方案。

基于其高压、大电流和低损耗的特性，该器件非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的领域。典型应用场景包括工业开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和高压DC-DC变换器，尤其是在三相400VAC输入的系统前端。它也常见于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动以及电焊机等设备的功率级设计中，作为核心的开关元件，负责高效的能量转换与控制。其稳健的设计使其成为构建下一代高能效电力电子系统的可靠选择。

• 型号:STW9N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3255 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW9N150的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW9N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括1500V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Tc），为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.5欧姆@4A，有效降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）共同保障了器件在高频开关应用中的高效能与高可靠性，适用于要求苛刻的工业电源与能源转换系统。